Substrato de la aleación de cobre del molibdeno del CPC para el empaquetado microelectrónico de la placa de adaptador de cristal

Se caracteriza en ése, comprendiendo los pasos siguientes:

1), la placa de la aleación del molibdeno-cobre cobre electrochapando, del electrochapado en los lados superiores y más bajos de la placa de la aleación del molibdeno-cobre, la capa de electrochapado llega a ser granulares para obtener una placa cobre-plateada de la aleación del molibdeno-cobre;

2), placa de cobre que electrochapa, cobre de electrochapado en un lado de la placa de cobre, la capa de electrochapado llega a ser granular, y obtiene una placa de cobre cobre-plateada;

se ata juntos 3), la vinculación, el lugar la placa de cobre cobre-plateada con un área no más pequeña que la placa cobre-plateada de la aleación del molibdeno-cobre a ambos lados de la placa cobre-plateada de la aleación del molibdeno-cobre para formar una placa compuesta de primera clase, la superficie electrochapada de la placa de cobre cobre-plateada y la placa cobre-plateada de la aleación del molibdeno-cobre las dos superficies electrochapadas;

4), presión hydráulica, el tablero compuesto de primer nivel se coloca en la prensa hidráulica para la presión hydráulica, y la presión hydráulica enlazan juntos al tablero de cobre cobre-plateado y el tablero cobre-plateado de la aleación del molibdeno-cobre de cerca de obtener al tablero compuesto del segundo nivel, y la presión es 20MPa;

5), sinterizando, poniendo el tablero compuesto secundario después de la presión hydráulica en un horno de calefacción eléctrico para sinterizar, la calefacción a 1060-1080° C. debajo de un estado de la protección de la atmósfera, y de mantenerlo caliente por 2 horas de obtener un tablero del compuesto de la tercero-etapa;

6), de laminado en caliente, de laminado en caliente la placa compuesta del tercer nivel bajo estado de la protección de la atmósfera para obtener la placa compuesta del cuarto-nivel, la temperatura de laminado en caliente es 750-850 el ° C;

7), tratamiento superficial, adoptar la máquina pulidora de la correa para quitar la capa de la oxidación en la superficie del cuarto tablero del compuesto del grado, obtiene el quinto tablero del compuesto del grado;

8), el laminar, laminando el tablero compuesto del quinto-grado, de modo que el tablero compuesto del quinto-grado cumpla el requisito del grueso, y obtiene el tablero compuesto del sexto-grado;

9), nivelando, nivelando el tablero compuesto del seis-nivel, y obteniendo un tablero compuesto acabado del cobre-molibdeno-cobre-cobre después de nivelar.

3. Parámetro del 1:4 de Cu/MoCu30/Cu CPC: 1 substrato para el empaquetado microelectrónico:

Tamaño según el dibujo del cliente, podemos procesar cualquier forma de la hoja de Cu/MoCu30/Cu para pakcaging microelectrónico.

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