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El molibdeno de encargo TZM cubre para el metal del molibdeno de la aleación del molibdeno de la hoja TZM de Moly del disco del molibdeno del semiconductor
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xDatos del producto
| nombre | Hoja del molibdeno para el semiconductor | Material | Molibdeno y aleación de molibdeno |
|---|---|---|---|
| Grado | Mo1, TZM, aleación de Mola | Densidad | 10,2 g/cm3 |
| Forma | hoja redonda | Uso | Semiconductores |
| Resaltar | Hojas del molibdeno TZM,El semiconductor TZM cubre,hoja de encargo del molibdeno |
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Descripción de producto
Hoja del molibdeno para el semiconductor
1. Descripción de la hoja del molibdeno para el semiconductor:
Las características elevadas de la pureza, de alta densidad, finas, y uniformes del grano están presentes en blancos de la farfulla del molibdeno, dando por resultado eficacia extremadamente alta de la farfulla, espesor del film uniforme, y una superficie que graba al agua fuerte lisa durante el proceso de la farfulla.
La hoja del molibdeno para los semiconductores tiene propiedades mecánicas excelentes, la extensión baja, la alta conductividad termal, y conductividad eléctrica extremadamente alta en las temperaturas altas. Es un metal refractario con una variedad de aplicaciones.
Hay muchas diversas combinaciones de molibdeno que se pueden utilizar como blanco de la farfulla, incluyendo el molibdeno, el titanio del molibdeno, el tantalio del molibdeno, y las blancos puros de la aleación del molibdeno. Las propiedades elevadas de la pureza, de alta densidad, finas, y constantes del grano están presentes en blancos de la farfulla del molibdeno, dando por resultado eficacia extremadamente alta de la farfulla, espesor del film homogéneo, y una superficie que graba al agua fuerte limpia en el proceso de la farfulla. Hoja del molibdeno hecha a las especificaciones de un cliente para los semiconductores.
2. parámetro de la hoja del molibdeno para el semiconductor:
| Nombre | Hoja del molibdeno para el semiconductor |
| Peso molecular | 95,94 |
| Aspecto | Plateado |
| Punto de fusión | °C 2623 |
| Punto de ebullición | °C 4639 |
| Densidad | 10280 kg/m3 |
| Solubilidad en H2O | N/A |
| Resistencia eléctrica | 5,2 microhmio-cm @ 0 °C |
| Electronegativity | 1,9 Paulings |
| Calor de la fusión | 6,6 topo de Cal/gm |
| Calor de la vaporización | Átomo de 128 K-Cal/gm en el °C 4612 |
| El ratio de Poisson | 0,31 |
| Calor específico | 0,0599 °C 25 de Cal/g/K @ |
| Resistencia a la tensión | N/A |
| Conductividad termal | 1,38 W/cm/K @ 298,2 K |
| Extensión termal | (25 µm del °C) 4,8·m-1·K-1 |
| Dureza de Vickers | MPa 1530 |
| Módulo de Young | 329 GPa |
3. Los productos muestran de la hoja del molibdeno para el semiconductor:
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